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9.980 Treffer

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    First results on 1.2 kV SiC MOSFET body diode robustness tests
    Hamad, Hassan ; Tournier, Dominique ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 151 (2023-12-01)
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Terminal strength test of TO-220 packaged Schottky barrier diode using finite element method
    Choi, Na-Yeon ; Zhang, Sung-Uk
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 151 (2023-12-01)
    Online academicJournal
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    Obtaining thermal resistance of mold compounds using a package structure model with a heat-generating test element group: Comparison of the thermal conductivity and glass transition temperature of epoxy mold compounds
    Ishikawa, Yuki ; Takao, Tomoya ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 151 (2023-12-01)
    Online academicJournal
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    Reliability tests on millimetre wave 100 nm gate length process for safe operating area evaluation methodology
    Robin, C. ; Delcourt, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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    Comparison of different statistical methods for prediction of lifetime of electrical connectors with short term tests
    Shukla, Abhay ; Martin, Robert ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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    Impact of neutron irradiation on SiC power MOSFETs after stress tests qualification
    Pintacuda, Francesco ; Allegra, G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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    Impact of high-temperature operating lifetime tests on the stability of 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs: A temperature-dependent analysis
    Pilati, M. ; Buffolo, M. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Life test result on 4 channel VCELs chip used in 28Gb/s data transfer in space application
    Joly, S. ; Ouattara, M. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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    Practical design of partially accelerated degradation test with two stress variables under step-stress loading scheme
    Kim, Sungkyu ; Kim, Yongsoo ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Iodine vapour based quality test for coating and potting materials of (power) electronic devices
    Meier, M.R. ; Schweigart, H.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Test concept for a direct correlation between dislocations and the intrinsic degradation of lateral PIN diodes in GaN-on-Si under reverse bias
    Stabentheiner, M. ; Diehle, P. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Data-driven and physics-based reliability tests to failure of a power electronics converter
    Martino, Edoardo ; Fairbrother, Andrew ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Dynamics of corrosion on mechanical and electrical reliability of SAC305 solder joints during salt spray test
    Akoda, K.E. ; Guédon-Gracia, A. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 148 (2023-09-01)
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of failure mechanism of aluminum-scandium wire bond contact under active power cycle test
    Yamaguchi, Tadashi ; Suto, Yuya ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 144 (2023-05-01)
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A high-efficiency aging test with new data processing method for semiconductor device
    Yang, Xinhuan ; Sang, Qianqian ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 143 (2023-04-01)
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Sixer: A low-overhead, fully-distributed test scheme with guaranteed delivery of packets in networks-on-chip
    Bhowmik, Biswajit
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 142 (2023-03-01)
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Study of the temperature distribution in insulated gate bipolar transistor module under different test conditions
    Zhao, Di ; Guo, Chunsheng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 140 (2023)
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Board level vibration test method of components for automotive electronics: State-of-the-art approaches and challenges
    Thukral, V. ; van Soestbergen, M. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 139 (2022-12-01)
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of NC pins ESD test on the reliability of integrated circuits with high density BGA package
    Lu, Jian ; Ma, Yong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 139 (2022-12-01)
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Thermal fatigue analysis of gold wire bonding solder joints in MEMS pressure sensors by thermal cycling tests
    Zhang, Yunfan ; Wu, Kangkang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 139 (2022-12-01)
    Online academicJournal
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